Infineon IGBT, IKW75N65EH5XKSA1, Tipo N-Canal, 90 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6675
- Referência do fabricante:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,97 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,485 € | 10,97 € |
| 10 - 18 | 4,985 € | 9,97 € |
| 20 - 48 | 4,655 € | 9,31 € |
| 50 - 98 | 4,33 € | 8,66 € |
| 100 + | 4,00 € | 8,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6675
- Referência do fabricante:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 90A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Longitud | 41.42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 90A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Longitud 41.42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología H5 de alta velocidad.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Links relacionados
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 90 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 55 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 83 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines Superficie
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante