Infineon CI de transistor único IGBT, IHW20N135R5XKSA1, Tipo N-Canal, 40 A, 1350 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6636
- Referência do fabricante:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6636
- Referência do fabricante:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1350V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 310W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Longitud | 42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1350V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 310W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Longitud 42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico ofrece una alta tensión de ruptura de 1350v.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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