Infineon IGBT, IGW30N65L5XKSA1, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6634
- Referência do fabricante:
- IGW30N65L5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
21,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 185 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,344 € | 21,72 € |
| 25 - 45 | 3,564 € | 17,82 € |
| 50 - 120 | 3,302 € | 16,51 € |
| 125 - 245 | 3,084 € | 15,42 € |
| 250 + | 2,866 € | 14,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6634
- Referência do fabricante:
- IGW30N65L5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 85A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 85A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor bipolar de Infineon de quinta generación con puerta aislada y tensión de saturación baja.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Links relacionados
- Infineon IGBT, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKZ50N65EH5XKSA1, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKW30N65EL5XKSA1, N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 83 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines Superficie