Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6614
- Referência do fabricante:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6614
- Referência do fabricante:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Longitud | 42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie TrenchStop | ||
Longitud 42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada dispone de tecnología de parada de campo con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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