onsemi Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, Q0BOOST, 22 pines Superficie 2

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Código RS:
195-8768
Referência do fabricante:
NXH100B120H3Q0PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

186W

Número de transistores

2

Encapsulado

Q0BOOST

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

22

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

NXH100B120H3Q0

Longitud

66.2mm

Altura

11.9mm

Estándar de automoción

No

El NXH100B120H3Q0 es un módulo de alimentación que consta de una etapa elevadora doble compuesta por dos IGBT de 50A/1200 V, dos diodos SiC de 20A/1.200 V y dos diodos en antiparalelo de 25 A/1.600 V para los IGBT. Se incluyen dos rectificadores de derivación adicionales de 25 A/1.600 V que se emplean para el límite de corriente de entrada. Se incluye un termistor en placa.

Especificaciones de IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2.180 μJ

IGBT rápido con VCE(SAT) baja para lograr una alta eficacia

Diodos en antiparalelo y de derivación de 25 A/1600 V

Diodos de derivación de VF baja para una excelente eficacia en modo de derivación

Especificación de rectificador SiC: VF = 1,44 V

Diodo SiC para conmutación de alta velocidad

Opciones de contacto de soldadura y contacto de encaje a presión disponibles

• Montaje flexible

Aplicaciones

Etapa de impulso MPPT

Etapa De Sobrealimentación Del Cargador De Batería

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