Vishay IGBT, Tipo N-Canal, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 180-7419
- Referência do fabricante:
- SUM70060E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1 200,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,50 € | 1 200,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7419
- Referência do fabricante:
- SUM70060E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.875mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | ThunderFET | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 125mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.875mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie ThunderFET | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 125mJ | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Fuentes de alimentación de modo conmutado CA/CC
• Gestión de la batería
• inversores dc/ac
• convertidores dc/dc
• Iluminación
• Interruptores de mando del motor
• Rectificador síncrono
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
Links relacionados
- Vishay IGBT, SUM70060E-GE3, Tipo N-Canal, TO-263, 3 pines Superficie
- Vishay IGBT, Tipo N-Canal, TO-247AC, 3 pines
- Vishay IGBT, SIHG47N60EF-GE3, Tipo N-Canal, TO-247AC, 3 pines
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 34 A, 600 V, TO-263
- Infineon IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, Tipo N-Canal, 34 A, 600 V, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 15 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
