Vishay IGBT, Tipo N-Canal, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
180-7419
Referência do fabricante:
SUM70060E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

IGBT

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.875mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

ThunderFET

Energía nominal

125mJ

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Fuentes de alimentación de modo conmutado CA/CC

• Gestión de la batería

• inversores dc/ac

• convertidores dc/dc

• Iluminación

• Interruptores de mando del motor

• Rectificador síncrono

• Fuentes de alimentación ininterrumpida

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