IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 168-7768
- Referência do fabricante:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
112,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 75 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 4,508 € | 112,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7768
- Referência do fabricante:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 230 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, FGAF40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGF15H60DF, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220FP, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW20V60F, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGF20H60DF, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-220FP, 3-Pines, 1MHZ Simple