IXYS IGBT de alta velocidad, Tipo N-Canal, 66 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 50 kHz
- Código RS:
- 168-4779
- Referência do fabricante:
- IXYH30N120C3D1
- Fabricante:
- IXYS
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- 168-4779
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 66A | |
| Tipo de producto | IGBT de alta velocidad | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 416W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 50kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.32mm | |
| Serie | GenX3TM | |
| Certificaciones y estándares | International Standard Package | |
| Energía nominal | 400mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 66A | ||
Tipo de producto IGBT de alta velocidad | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 416W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 50kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.32mm | ||
Serie GenX3TM | ||
Certificaciones y estándares International Standard Package | ||
Energía nominal 400mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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