IXYS IGBT de alta velocidad, Tipo N-Canal, 40 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 50 kHz
- Código RS:
- 168-4777
- Referência do fabricante:
- IXYH20N120C3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 168-4777
- Referência do fabricante:
- IXYH20N120C3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | IGBT de alta velocidad | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 50kHz | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.4V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | 1200V XPTTM GenX3TM IGBTs | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 400mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto IGBT de alta velocidad | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 50kHz | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.4V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie 1200V XPTTM GenX3TM IGBTs | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 400mJ | ||
- COO (País de Origem):
- US
IGBT discretos, serie XPT, IXYS
La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.
Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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