IGBT, IKY50N120CH3XKSA1, P-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines, 60kHz 1 Simple

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Código RS:
162-3316
Referência do fabricante:
IKY50N120CH3XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

100 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

652 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

60kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.9 x 5.1 x 22.5mm

Capacitancia de puerta

3269pF

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Energía nominal

4.2mJ

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

En respuesta al requisito del mercado de alta densidad de potencia y máximo rendimiento, los productos discretos de Infineon presentan el nuevo encapsulado emisor Kelvin TO-247PLUS de 4 pines para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico y deslizamiento C-E extendido son las características clave del encapsulado TO-247PLUS. La configuración del encapsulado de 4 pines proporciona una inductancia muy baja al bucle de control de puerta-emisor con el encapsulado de 4 pines directamente al controlador de puerta y permite la reducción de pérdidas de conexión E y desconexión E de hasta un 20 % inferior a ETS de pérdidas de conmutación totales.

Bucle de inductancia de control muy bajo con contacto de emisor adicional para retroalimentación de controlador
Reducción del 20 % de pérdidas de conmutación total en comparación con el encapsulado de 3 contactos usando la misma tecnología
IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
IGTB de 1.200 V de máxima eficiencia con las pérdidas de conmutación más bajas
IGTB discreto de 1.200 V de alta densidad de potencia
Resistencia térmica más baja

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