Starpower IGBT Discreto, DG50X07T2, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3 pines
- Código RS:
- 427-728
- Referência do fabricante:
- DG50X07T2
- Fabricante:
- Starpower
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
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| 20 - 198 | 3,925 € | 7,85 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 427-728
- Referência do fabricante:
- DG50X07T2
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de producto | IGBT Discreto | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 714W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | DOSEMI | |
| Longitud | 21mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead free package | |
| Altura | 5.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de producto IGBT Discreto | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 714W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie DOSEMI | ||
Longitud 21mm | ||
Certificaciones y estándares Lead free package | ||
Altura 5.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Starpower IGBT Power Discrete proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.
Baja pérdida de conmutación
Temperatura máxima de unión de 175 °C
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Encapsulado sin plomo
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