Infineon IGBT, FF2400R12IP7BPSA1 Medio puente, Tipo N-Canal, 2400 A, 1200 V, Módulo 2 Terminal roscado
- Código RS:
- 349-362
- Referência do fabricante:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-362
- Referência do fabricante:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 2400A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Configuración | Medio puente | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 38.25mm | |
| Longitud | 247mm | |
| Anchura | 89 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 2400A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Configuración Medio puente | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 38.25mm | ||
Longitud 247mm | ||
Anchura 89 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El módulo de IGBT doble PrimePACK 3+ de Infineon con IGBT7 TRENCHSTOP, diodo 7 controlado por emisor y NTC está diseñado para aplicaciones de potencia ultraelevada, ya que proporciona un rendimiento y una eficiencia superiores. Ofrece la mayor densidad de potencia, lo que optimiza tanto el espacio como el manejo de potencia para usos industriales exigentes. El módulo brinda el mejor valor VCEsat de su categoría, lo que proporciona una baja tensión de saturación para maximizar la eficiencia y minimizar las pérdidas de potencia.
Aumento de la densidad de potencia
Menor esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
La alta densidad de potencia permite el salto de fotogramas
Sin necesidad de conectar módulos IGBT en paralelo
Carcasa homologada
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