Infineon IGBT, FF2400R12IP7BPSA1 Medio puente, Tipo N-Canal, 2400 A, 1200 V, Módulo 2 Terminal roscado
- Código RS:
- 349-362
- Referência do fabricante:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-362
- Referência do fabricante:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 2400A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Medio puente | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Anchura | 89 mm | |
| Longitud | 247mm | |
| Altura | 38.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 2400A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Medio puente | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Anchura 89 mm | ||
Longitud 247mm | ||
Altura 38.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El módulo de IGBT doble PrimePACK 3+ de Infineon con IGBT7 TRENCHSTOP, diodo 7 controlado por emisor y NTC está diseñado para aplicaciones de potencia ultraelevada, ya que proporciona un rendimiento y una eficiencia superiores. Ofrece la mayor densidad de potencia, lo que optimiza tanto el espacio como el manejo de potencia para usos industriales exigentes. El módulo brinda el mejor valor VCEsat de su categoría, lo que proporciona una baja tensión de saturación para maximizar la eficiencia y minimizar las pérdidas de potencia.
Aumento de la densidad de potencia
Menor esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
La alta densidad de potencia permite el salto de fotogramas
Sin necesidad de conectar módulos IGBT en paralelo
Carcasa homologada
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