Infineon IGBT, FF1600R12IP7BOSA1 Medio puente, Tipo N-Canal, 1600 A, 1200 V, PrimePACKTM2 2 Terminal roscado
- Código RS:
- 349-361
- Referência do fabricante:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-361
- Referência do fabricante:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 1600A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Configuración | Medio puente | |
| Encapsulado | PrimePACKTM2 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Altura | 36.5mm | |
| Longitud | 89mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 1600A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Configuración Medio puente | ||
Encapsulado PrimePACKTM2 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Altura 36.5mm | ||
Longitud 89mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El módulo de IGBT doble PrimePACK 2 de Infineon, de 1200 V y 1600 A con IGBT7 TRENCHSTOP y diodo 7 controlado por emisor, está diseñado para aplicaciones de alta potencia y ofrece un rendimiento excepcional en un paquete compacto y robusto. Ofrece la mayor densidad de potencia, optimiza el espacio y a la vez mantiene una capacidad de manejo de potencia excepcional. El módulo brinda el mejor valor VCEsat de su categoría, lo que garantiza una baja tensión de saturación para mayor eficiencia y menores pérdidas de potencia.
Aumento de la densidad de potencia
Menor esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Mayor corriente de salida del inversor
Sin necesidad de conectar módulos IGBT en paralelo
Carcasa homologada
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