Infineon AQG 324 IGBT, FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Medio puente, Tipo N-Canal, 1.15 kA, 750 V, AQG-324 6 Terminal roscado
- Código RS:
- 349-028
- Referência do fabricante:
- FS1150R08A8P3LBCHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 349-028
- Referência do fabricante:
- FS1150R08A8P3LBCHPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 1.15kA | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 750V | |
| Número de transistores | 6 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10000W | |
| Encapsulado | AQG-324 | |
| Configuración | Medio puente | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.09V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, UL 94 V0 | |
| Estándar de automoción | AQG 324 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 1.15kA | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 750V | ||
Número de transistores 6 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10000W | ||
Encapsulado AQG-324 | ||
Configuración Medio puente | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.09V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, UL 94 V0 | ||
Estándar de automoción AQG 324 | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo HybridPACK Drive G2 de Infineon es un módulo de potencia de seis paquetes muy compacto con un encapsulado mejorado optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa la tecnología de chip de nueva generación EDT3 750 V de Infineon, optimizada para aplicaciones de propulsión eléctrica, en clases de potencia automotriz de rango medio a alto.
Diseño de baja inducción
Tensión de aislamiento de 4.2 kV dc durante 1 segundo
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base PinFin de refrigeración directa
Directrices para el montaje de PCB y enfriador
Tecnología de contacto PressFIT
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