Infineon IGBT, FF450R12KE7HPSA1 Colector único, Tipo N-Canal, 450 A, 1200 V, AG-62MMHB, 3 pines 2 Orificio pasante
- Código RS:
- 284-960
- Referência do fabricante:
- FF450R12KE7HPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 284-960
- Referência do fabricante:
- FF450R12KE7HPSA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 450A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | AG-62MMHB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.75V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 30.9mm | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Anchura | 61.4mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 450A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado AG-62MMHB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.75V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 30.9mm | ||
Longitud 106.4mm | ||
Anchura 61.4mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT de 62 mm de 1.200 V, 450 A de baja potencia y alta velocidad con TRENCHSTOP IGBT7 y diodo controlado por emisor. Los encapsulados existentes con mayor capacidad de corriente permiten aumentar la potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de bastidor. Especialmente utilizado para topología NPC2 en configuración de 3 niveles.
Máxima densidad de potencia
Mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme a RoHS
4 kV ac 1 min Aislamiento
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