Infineon IGBT, FF450R12KE7HPSA1 Colector único, Tipo N-Canal, 450 A, 1200 V, AG-62MMHB, 3 pines 2 Orificio pasante
- Código RS:
- 284-959
- Referência do fabricante:
- FF450R12KE7HPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-959
- Referência do fabricante:
- FF450R12KE7HPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 450A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Colector único | |
| Encapsulado | AG-62MMHB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.75V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Altura | 30.9mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Anchura | 61.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 450A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Colector único | ||
Encapsulado AG-62MMHB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.75V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 106.4mm | ||
Altura 30.9mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Anchura 61.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon es un módulo IGBT de 62 mm de 1.200 V, 450 A de baja potencia y alta velocidad con TRENCHSTOP IGBT7 y diodo controlado por emisor. Los encapsulados existentes con mayor capacidad de corriente permiten aumentar la potencia de salida del inversor con el mismo tamaño de bastidor. Especialmente utilizado para topología NPC2 en configuración de 3 niveles.
Máxima densidad de potencia
Mejor VCEsat de su clase
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base aislada
Carcasa estándar
Conforme a RoHS
4 kV ac 1 min Aislamiento
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