IGBT, GWA40MS120DF4AG, N-Canal, 80 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1

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Código RS:
215-030
Referência do fabricante:
GWA40MS120DF4AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

536 W

Número de transistores

1

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

COO (País de Origem):
CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie MS, que representan una evolución de la serie M de bajas pérdidas diseñada específicamente para sistemas de inversores gracias a su extraordinaria capacidad de cortocircuito a un alto valor de tensión de bus. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y la distribución muy ajustada de los parámetros hacen que el funcionamiento en paralelo sea más seguro.

Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura

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