Fotodiodo PIN de silicio VEMD8083 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Código RS:
- 637-748
- Referência do fabricante:
- VEMD8083
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
2,05 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 24 | 2,05 € |
| 25 - 99 | 2,00 € |
| 100 - 499 | 1,97 € |
| 500 + | 1,81 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 637-748
- Referência do fabricante:
- VEMD8083
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Espectros detectados | Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 940nm | |
| Encapsulado | Montaje superficial | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Mínima longitud de onda detectada | 350nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 30ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 600μm | |
| Anchura | 2mm | |
| Longitud | 3.2mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020 | |
| Ángulo de media sensibilidad | 60 ° | |
| Tensión de ruptura | 20V | |
| Corriente residual | 10nA | |
| Tiempo de subida típico | 30ns | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Espectros detectados Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 940nm | ||
Encapsulado Montaje superficial | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Mínima longitud de onda detectada 350nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 30ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 600μm | ||
Anchura 2mm | ||
Longitud 3.2mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020 | ||
Ángulo de media sensibilidad 60 ° | ||
Tensión de ruptura 20V | ||
Corriente residual 10nA | ||
Tiempo de subida típico 30ns | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El fotodiodo PIN de alta velocidad y alta sensibilidad de Vishay con sensibilidad mejorada para la luz visible. Se trata de un dispositivo de montaje en superficie (SMD) de perfil bajo que incluye el chip con un área sensible de 2,8 mm2 que detecta radiación visible y cercana a infrarrojos.
Sensibilidad mejorada
Apto para radiación visible y de infrarrojos cercanos
Compatible con el proceso de soldadura por reflujo por infrarrojos
Links relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD8083 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Fotodiodo BPV10 Vishay BPV10, Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad
- Fotodiodo PIN VEMD6060X01 Vishay VEMD6060X01, Visible, Radiación de infrarrojos cercanos ±70 °, λ sensibilidad máx. 820
- Fotodiodo PIN Vishay VEMD6060X01, Visible, Radiación de infrarrojos cercanos ±70 °, λ sensibilidad máx. 820 nm,
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F, Radiación de infrarrojos cercanos ±20 °, λ sensibilidad máx. 950
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo PIN S12023-10 Hamamatsu Photonics S12023, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm,
- Fotodiodo PIN AEPD-D0F2-00000 Broadcom AEPD, Radiación de infrarrojos cercanos ±19 °, λ sensibilidad máx. 960 nm,