Fotodiodo Hamamatsu Photonics G12180, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-18 de 3
- Código RS:
- 261-6239
- Referência do fabricante:
- G12180-010A
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
128,98 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 128,98 € |
| 2 + | 122,52 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 261-6239
- Referência do fabricante:
- G12180-010A
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Hamamatsu Photonics | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 1500nm | |
| Encapsulado | TO-18 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente residual | 4nA | |
| Serie | G12180 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Hamamatsu Photonics | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 1500nm | ||
Encapsulado TO-18 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente residual 4nA | ||
Serie G12180 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Los fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics tienen una gran resistencia de derivación y un ruido muy bajo. Proporciona varios tipos de fotodiodos PIN InGaAs con área fotosensible de φ0,3 mm a φ5 mm.
Bajo ruido, baja corriente oscura
Baja capacitancia de terminación
Gran área fotosensible
Links relacionados
- Fotodiodo G12180-010A Hamamatsu Photonics G12180, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo G12180-005A Hamamatsu Photonics G12180, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo G12180-003A Hamamatsu Photonics G12180, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo PIN G12180-030A Hamamatsu Photonics G12180, Luz Visible, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo G11193-02R Hamamatsu Photonics G11193, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Superficie, encapsulado
- Fotodiodo G8931-04 Hamamatsu Photonics G8931, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo S4349 Hamamatsu Photonics S4349, Infrarrojo, Ultravioleta, λ sensibilidad máx. 960 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo L15895-0430MA Hamamatsu Photonics L15895, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 4300 nm, Orificio pasante,