Fotodiodo PIN de silicio BPW82 Vishay BPW82, Infrarrojo ±65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Código RS:
- 244-4683
- Referência do fabricante:
- BPW82
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
1,07 €
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,07 € |
| 10 - 24 | 1,02 € |
| 25 - 49 | 0,97 € |
| 50 - 99 | 0,91 € |
| 100 + | 0,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 244-4683
- Referência do fabricante:
- BPW82
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 950nm | |
| Encapsulado | PCB | |
| Embalaje y empaquetado | PCB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 790nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.8mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±65 ° | |
| Serie | BPW82 | |
| Corriente residual | 30nA | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de ruptura | 60V | |
| Corriente de cortocircuito | 38μA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 950nm | ||
Encapsulado PCB | ||
Embalaje y empaquetado PCB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 790nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.8mm | ||
Longitud 5mm | ||
Ángulo de media sensibilidad ±65 ° | ||
Serie BPW82 | ||
Corriente residual 30nA | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de ruptura 60V | ||
Corriente de cortocircuito 38μA | ||
Links relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay BPW82, Infrarrojo ±65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado PCB
- Fotodiodo PIN de silicio BP104S Vishay BP104, Infrarrojo ±65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F, Radiación de infrarrojos cercanos ±20 °, λ sensibilidad máx. 950
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay BP104, Infrarrojo ±65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado PCB
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo PIN de silicio TEMD1020 Vishay, Infrarrojo ±15 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Superficie, encapsulado Montaje
- Fotodiodo PIN Vishay BPV22F, Infrarrojo ±60 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado PCB de 2 pines
- Fotodiodo PIN BPV22F Vishay BPV22F, Infrarrojo ±60 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Orificio pasante, encapsulado PCB de 2