Fotodiodo PIN DL-4 OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Código RS:
- 177-5566
- Referência do fabricante:
- PIN DL-4
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
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- Código RS:
- 177-5566
- Referência do fabricante:
- PIN DL-4
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 670nm | |
| Encapsulado | TO-8 | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 320nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 0.08μs | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 5.59mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5mm | |
| Diámetro | 15.24mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | DL | |
| Tiempo de subida típico | 0.08μs | |
| Polaridad | Inverso | |
| Tensión de ruptura | 30V | |
| Corriente residual | 0.2nA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 670nm | ||
Encapsulado TO-8 | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Mínima longitud de onda detectada 320nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 0.08μs | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 5.59mm | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5mm | ||
Diámetro 15.24mm | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie DL | ||
Tiempo de subida típico 0.08μs | ||
Polaridad Inverso | ||
Tensión de ruptura 30V | ||
Corriente residual 0.2nA | ||
- COO (País de Origem):
- US
Sensores de detección de posición (PSD) OSI
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
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