Fotodiodo OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-5 de 4
- Código RS:
- 848-6244
- Referência do fabricante:
- PIN-DL-20C
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
807,03 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1 unidade(s) para enviar a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 807,03 € |
| 5 - 9 | 726,33 € |
| 10 - 24 | 694,05 € |
| 25 + | 669,83 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 848-6244
- Referência do fabricante:
- PIN-DL-20C
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 670nm | |
| Encapsulado | TO-5 | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 320nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 0.6ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 37.97mm | |
| Altura | 3.05mm | |
| Corriente residual | 0.5nA | |
| Tiempo de subida típico | 1μs | |
| Tensión de ruptura | 30V | |
| Polaridad | Inverso | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 670nm | ||
Encapsulado TO-5 | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Mínima longitud de onda detectada 320nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 0.6ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 37.97mm | ||
Altura 3.05mm | ||
Corriente residual 0.5nA | ||
Tiempo de subida típico 1μs | ||
Tensión de ruptura 30V | ||
Polaridad Inverso | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
Sensores de detección de posición (PSD) OSI
Esta familia de sensores de detección de posición (PSD), de OSI Optoelectronics, utiliza tecnología lateral doble. Proporcionan una salida analógica continua que ofrece alta fiabilidad de posición sobre la mayor parte del área de detección. Se pueden medir una o dos posiciones dimensionales con esta gama de PSD.
Las aplicaciones adecuadas para estos sensores de detección de posición (PSD) incluyen: alineación de haz, detección de posición, medida de ángulo, medidas de altura y análisis de movimiento.
Características:
Súper lineal
Alta precisión
Amplia escala dinámica
Alta fiabilidad
Estructura lateral doble
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
Links relacionados
- Fotodiodo PIN-DL-20C OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo PIN DL-4 OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 670 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-8 de 3
- Fotodiodo PIN DL-10 OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo OSI Optoelectronics DL, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-5 de 2
- Fotodiodo OSI Optoelectronics Photoconductive, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN-SPOT4DMI OSI Optoelectronics Spot, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN-10D OSI Optoelectronics Photoconductive, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Montaje superficial