Fotodiodo Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Superficie, encapsulado QFN de 4 pines
- Código RS:
- 161-2053
- Referência do fabricante:
- VEMD5010X01
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
558,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 1000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,558 € | 558,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 161-2053
- Referência do fabricante:
- VEMD5010X01
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 940nm | |
| Encapsulado | QFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Número de pines | 4 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 430nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1070nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Corriente residual | 0.2nA | |
| Corriente de cortocircuito | 26μA | |
| Polaridad | Adelante | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Tensión de ruptura | 20V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 940nm | ||
Encapsulado QFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Número de pines 4 | ||
Mínima longitud de onda detectada 430nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1070nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Anchura 4mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Corriente residual 0.2nA | ||
Corriente de cortocircuito 26μA | ||
Polaridad Adelante | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Tensión de ruptura 20V | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Links relacionados
- Fotodiodo VEMD5010X01 Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Montaje superficial, encapsulado QFN de 4
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo TEMD5080X01 Vishay TEMD, Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Superficie,
- Fotodiodo Vishay TEMD, Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Superficie, encapsulado
- Fotodiodo QSB34CGR onsemi, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Montaje superficial, encapsulado PLCC 2L de 2
- Fotodiodo VBPW34S Vishay, Infrarrojo, Luz Visible 65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Montaje superficial, encapsulado GW
- Fotodiodo BPV22NF Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm, Orificio pasante, encapsulado Side Looker de 2
- Fotodiodo VEMD5080X01 Vishay, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 950 nm, Montaje superficial, encapsulado QFN de 4