Fotodiodo G6849 Hamamatsu Photonics G6849, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-5
- Código RS:
- 482-435
- Referência do fabricante:
- G6849
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
Subtotal (1 unidade)*
681,51 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 5 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 681,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 482-435
- Referência do fabricante:
- G6849
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Hamamatsu Photonics | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 1550nm | |
| Encapsulado | TO-5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 0.9μm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1.7μm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Diámetro | 13mm | |
| Corriente residual | 5nA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | G6849 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Hamamatsu Photonics | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 1550nm | ||
Encapsulado TO-5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Mínima longitud de onda detectada 0.9μm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1.7μm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Diámetro 13mm | ||
Corriente residual 5nA | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie G6849 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
La matriz de fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics diseñada específicamente para la detección de infrarrojos. Presenta un área fotosensible de tipo cuadrante que garantiza un rendimiento preciso y fiable. Funciona dentro de un rango de respuesta espectral definido y es adecuado para la detección de la posición de puntos luminosos y otros equipos de medición.
Poco ruido
Alta fiabilidad
Encapsulados metálicos
Links relacionados
- Fotodiodo PIN G6849-01 Hamamatsu Photonics G6849, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo G6854-01 Hamamatsu Photonics G6854-01, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo G11193-02R Hamamatsu Photonics G11193, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Superficie, encapsulado
- Fotodiodo S3884 Hamamatsu Photonics S3884, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio
- Fotodiodo S12086 Hamamatsu Photonics S12023, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio
- Fotodiodo S4349 Hamamatsu Photonics S4349, Infrarrojo, Ultravioleta, λ sensibilidad máx. 960 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN G12180-030A Hamamatsu Photonics G12180, Luz Visible, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo G8931-04 Hamamatsu Photonics G8931, Infrarrojo, λ sensibilidad máx. 1500 nm, Orificio pasante, encapsulado
