Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 8 pines
- Código RS:
- 482-435
- Referência do fabricante:
- G6849
- Fabricante:
- Hamamatsu Photonics
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- Código RS:
- 482-435
- Referência do fabricante:
- G6849
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- Hamamatsu Photonics
Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Hamamatsu Photonics | |
| Espectros Detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 1550nm | |
| Encapsulado | TO-5 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Número de Pines | 8 | |
| Material del Diodo | InGaAs | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Hamamatsu Photonics | ||
Espectros Detectados Infrarrojo | ||
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico 1550nm | ||
Encapsulado TO-5 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Número de Pines 8 | ||
Material del Diodo InGaAs | ||
- COO (País de Origem):
- JP
La matriz de fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics diseñada específicamente para la detección de infrarrojos. Presenta un área fotosensible de tipo cuadrante que garantiza un rendimiento preciso y fiable. Funciona dentro de un rango de respuesta espectral definido y es adecuado para la detección de la posición de puntos luminosos y otros equipos de medición.
Poco ruido
Alta fiabilidad
Encapsulados metálicos
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