Fotodiodo PIN InGaAs Hamamatsu, IR, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 8 pines

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Código RS:
482-416
Referência do fabricante:
G6849-01
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Espectros Detectados

Infrarrojo

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

1550nm

Encapsulado

TO-5

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

8

Material del Diodo

InGaAs

COO (País de Origem):
JP
La matriz de fotodiodos PIN InGaAs de Hamamatsu Photonics es un detector de infrarrojos de alto rendimiento diseñado para aplicaciones que requieren una detección precisa de la posición del punto luminoso. Presenta una zona fotosensible de tipo cuadrante.

Elemento cuadrante de 1 mm
Poco ruido
Alta fiabilidad

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