No EEPROM paralela AT28HC256-12JU Microchip, 256 kB, 32768 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC

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Código RS:
177-1707
Referência do fabricante:
AT28HC256-12JU
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tamaño de la memoria

256kB

Tipo de producto

EEPROM paralela

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

PLCC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

32

Organización

32K x 8 Bit

Frecuencia del reloj máxima

5MHz

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Anchura

15 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.5mm

Longitud

12.5mm

Serie

AT28HC256

Número de palabras

32768

Estándar de automoción

No

Almacenamiento de datos

10year

Corriente de suministro

80mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

120ns

COO (País de Origem):
TW
El dispositivo Microchip AT28HC256 es una EEPROM en paralelo de 256 kb de alto rendimiento con rangos de temperatura militares e industriales que ofrece tiempos de acceso de hasta 70 ns con una disipación de energía de 440 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 5 mA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. Dispone de un circuito de corrección de errores internos para mejorar la resistencia y la retención de datos en la versión militar. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.

Características adicionales:

32 kb x 8 (256 kb)

Alimentación de 5 V ±10 %

Interfaz paralela

Tiempo de acceso de 150 ns

Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático (10 ms máximo)

Escritura de bytes y escritura de página

Análisis de datos para detectar el fin de escritura

Bajo consumo de energía:

Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)

Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 200 μA (máx.)

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