No EEPROM paralela Microchip, 64 kB, 8192 x, 8, Paralelo, 120 ns, 32 pines PLCC

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo EEPROM
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
177-1464
Referência do fabricante:
AT28HC64BF-12JU
Fabricante:
Microchip
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Microchip

Tipo de producto

EEPROM paralela

Tamaño de la memoria

64kB

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

PLCC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

32

Organización

8K x 8 bit

Frecuencia del reloj máxima

5MHz

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Número de bits por palabra

8

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

12.5mm

Altura

3.5mm

Serie

AT28HC64BF

Anchura

10.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de palabras

8192

Estándar de automoción

No

Almacenamiento de datos

10year

Corriente de suministro

40mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

120ns

COO (País de Origem):
TW
El dispositivo Microchip AT28HC64BF es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.

Características adicionales:

8 kb x 8 (64 kb)

Alimentación de 5 V ±10 %

Interfaz paralela

Tiempo de acceso de 70 ns, ciclos de borrado y escritura con temporizador automático

Escritura de bytes y escritura de página

Análisis de datos para detectar el fin de escritura

Opción de 2 ms máximo

Bajo consumo de energía:

Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)

Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 100 μA (máx.)

Protección contra escritura

Protección con hardware

Protección de datos con software

Más de 100.000 ciclos de borrado/escritura

Retención de datos > 10 años

Links relacionados