onsemi MOSFET MOSFET NCP51561DBDWR2G 6.5 A SOIC 16 pines 5V
- Código RS:
- 244-9161
- Referência do fabricante:
- NCP51561DBDWR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- 244-9161
- Referência do fabricante:
- NCP51561DBDWR2G
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- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 6.5A | |
| Número de pines | 16 | |
| Tiempo de caída | 16ns | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 19ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | NCP51 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 6.5A | ||
Número de pines 16 | ||
Tiempo de caída 16ns | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 19ns | ||
Tensión de alimentación mínima 5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie NCP51 | ||
Estándar de automoción No | ||
El controlador de puerta IGBT/MOSFET de alta corriente aislado ON Semiconductor es de un canal de alta corriente. Controladores de puerta IGBT/MOSFET con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (versión A/D/F), fuente de alimentación negativa (versión B) y salidas de controlador alto y bajo (OUTL y OUTL) independientes (versión C/E) para mayor comodidad de diseño del sistema. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3V V a 20V V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo amplio.
Corriente de salida Peak alta (+6,5 A/−6,5 A)
La caída de tensión de abrazadera baja elimina la necesidad de una fuente de alimentación negativa para evitar el encendido de puerta falso (versión A/D/F)
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
Bloqueo de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito
Puerta IGBT/MOSFET de bajada activa
Umbrales UVLO estrechos para flexibilidad de polarización
Amplio rango de tensión de polarización incluido negativo de VEE2 V (versión B)
Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V.
Aislamiento galvánico de 5 kVrms
Alta inmunidad a transitorios
Alta inmunidad electromagnética
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