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    Driver de puerta MOSFET NCP51561DADWR2G, SOIC 16 pines

    Código RS:
    244-9157
    Referência do fabricante:
    NCP51561DADWR2G
    Fabricante:
    onsemi
    onsemi
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    Temporariamente fora de stock. Disponível a 18/01/2023, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
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    unidades

    Adicionado

    Preço unitário (Fornecido em carretes de 1000)

    2,437 €

    unidadesPor unidadePor Carreto*
    1000 - 10002,437 €2.437,00 €
    2000 - 20002,125 €2.125,00 €
    3000 +2,101 €2.101,00 €
    *preço indicativo
    Código RS:
    244-9157
    Referência do fabricante:
    NCP51561DADWR2G
    Fabricante:
    onsemi

    Documentação Técnica


    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    El controlador de puerta IGBT/MOSFET de alta corriente aislado ON Semiconductor es de un canal de alta corriente. Controladores de puerta IGBT/MOSFET con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñados para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa (versión A/D/F), fuente de alimentación negativa (versión B) y salidas de controlador alto y bajo (OUTL y OUTL) independientes (versión C/E) para mayor comodidad de diseño del sistema. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3V V a 20V V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo amplio.


    Corriente de salida Peak alta (+6,5 A/−6,5 A)
    La caída de tensión de abrazadera baja elimina la necesidad de una fuente de alimentación negativa para evitar el encendido de puerta falso (versión A/D/F)
    Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
    Bloqueo de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito
    Puerta IGBT/MOSFET de bajada activa
    Umbrales UVLO estrechos para flexibilidad de polarización
    Amplio rango de tensión de polarización incluido negativo de VEE2 V (versión B)
    Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V.
    Aislamiento galvánico de 5 kVrms
    Alta inmunidad a transitorios
    Alta inmunidad electromagnética



    Especificações

    AtributoValor
    Tensión de Alimentación5V
    Conteo de Pines16
    Tiempo de Bajada16ns
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Temporariamente fora de stock. Disponível a 18/01/2023, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
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