Infineon MOSFET MOSFET 1ED3322MC12NXUMA1 8.5 A PG-DSO-16 16 pines 5V

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

3,36 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 357 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 93,36 €
10 - 243,19 €
25 - 493,13 €
50 - 992,93 €
100 +2,72 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
240-6370
Referência do fabricante:
1ED3322MC12NXUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente de Salida

8.5A

Número de pines

16

Tiempo de caída

20ns

Encapsulado

PG-DSO-16

Tipo de unidad

MOSFET

Tensión de alimentación mínima

3.3V

Tensión de alimentación máxima

5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Controlador de puerta aislada de canal único Infineon de 8,5 A, 5,7 kV rms con protección contra cortocircuitos, abrazadera Miller activa y desconexión suave, certificación UL 1577 y VDE 0884-11. Controlador de puerta aislada de canal único mejorado EiceDRIVERTM con corriente de salida de pico típica de fuente y disipación de +6 A a -8,5 A en un encapsulado de cuerpo ancho DSO-16 con separación de 8 mm para IGBT, MOSFET y MOSFET SiC. El 1ED3321MC12N pertenece a la familia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. El 1ED3321 ofrece protección contra cortocircuitos DESAT para IGBT y MOSFET SiC. El IC de controlador que implementa salidas de disipación y fuente independientes, funciona en un amplio rango de tensión de alimentación, unipolar o bipolar, y tiene un ajuste estrecho de retardo de propagación pieza a pieza.

Transformador sin núcleo aislado galvánicamente de un canal. Características de protección

integradas, como protección contra cortocircuitos DESAT, suave, abrazadera Miller activa y desconexión activa.

Para usar con los MOSFET Si y SiC de 600 V, 650 V, 1.200 V, 1.700 V, 2.300 V IGBT,

Hasta +6 A a -85 A, corriente de salida máxima típica,

40 V tensión de alimentación de salida máxima absoluta VCC2.

La alta inmunidad a transitorios de modo común CMTI es superior a 300 kV/μs

85 ns, retardo de propagación corto

IC a IC ajustado a tensión de alimentación de entrada de 15 ns máx.

33 V y 5 V VCC1

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.