Infineon MOSFET MOSFET 1ED3240MC12HXUMA1 10 A 1 PG-DSO 8 pines 1.8kV
- Código RS:
- 234-8930
- Referência do fabricante:
- 1ED3240MC12HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 1000 + | 1,157 € | 1 157,00 € |
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- Código RS:
- 234-8930
- Referência do fabricante:
- 1ED3240MC12HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 10A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | PG-DSO | |
| Tiempo de caída | 8.5ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 30ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.8kV | |
| Número de drivers | 1 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 135°C | |
| Altura | 2.65mm | |
| Longitud | 7.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Serie | TT780N18KOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 10A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado PG-DSO | ||
Tiempo de caída 8.5ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 30ns | ||
Tensión de alimentación mínima 5V | ||
Tensión de alimentación máxima 1.8kV | ||
Número de drivers 1 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 135°C | ||
Altura 2.65mm | ||
Longitud 7.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.4mm | ||
Serie TT780N18KOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de tiristor de control de fase de Infineon funciona con una tensión máxima de estado de conexión de 1,35 voltios y una tensión máxima de umbral de 0,8 V. Este módulo tiene una resistencia de pendiente de 0,285 mΩ y funciona con una corriente de transitorios de 23.500 A.
Placa base de 60 mm
tiempo de retardo controlado por puerta de 4 μs
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