MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18446 resultados para MOSFET

    Infineon
    N
    40 A
    30 V
    4,3 mΩ
    OptiMOS™ 3
    TSDSON
    2V
    Montaje superficial
    8
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    69 W
    -
    Simple
    3.4mm
    27 nC a 4,5 V
    3.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    P
    11 A
    30 V
    30 mΩ
    PowerTrench
    DPAK (TO-252)
    -
    Montaje superficial
    3
    1V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    52 W
    -
    Simple
    6.22mm
    17 nC a 5 V
    6.73mm
    Si
    1
    +175 °C
    DiodesZetex
    P
    1,1 A
    30 V
    550 mΩ
    -
    SOT-23
    -
    Montaje superficial
    3
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    806 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    4,8 nC a 10 V
    3.05mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    30 A
    55 V
    0.013 Ω
    OptiMOS™
    DPAK (TO-252)
    2V
    Montaje superficial
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    4 A
    700 V
    0.0014 Ω
    CoolMOS™
    IPAK (TO-251)
    3.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicio
    1
    -
    onsemi
    N
    165 A
    150 V
    0,00445 Ω
    -
    DFNW8
    4.5V
    Montaje superficial
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    ROHM
    N
    24 A
    600 V
    320 mΩ
    R6024ENJ
    D2PAK (TO-263)
    4V
    Montaje superficial
    3
    2V
    ±30 V
    Mejora
    245 W
    -
    Simple
    9.2mm
    70 nC a 10 V
    10.4mm
    -
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    40 A
    30 V
    8,6 mΩ
    OptiMOS™
    TDSON
    -
    Montaje superficial
    8
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    26 W
    -
    Simple
    3.4mm
    5,2 nC a 4,5 V
    3.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    IXYS
    N
    360 A
    100 V
    2,6 mΩ
    GigaMOS Trench HiperFET
    SOT-227
    4.5V
    Montaje roscado
    4
    2.5V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    830 W
    -
    -
    25.07mm
    525 nC a 10 V
    38.23mm
    -
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    10 A
    700 V
    0,45 Ω
    CoolMOS™
    IPAK (TO-251)
    3.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicio
    1
    -
    STMicroelectronics
    N
    11 A
    600 V
    450 mΩ
    MDmesh
    D2PAK
    -
    Montaje superficial
    3
    -
    -30 V, +30 V
    Mejora
    160 W
    -
    -
    9.35mm
    30 nC a 10 V
    10.4mm
    -
    1
    +150 °C
    0,941 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
    ROHM
    N
    60 A
    100 V
    -
    -
    HSOP8
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    N
    2,4 A
    600 V
    -
    SuperMESH
    IPAK
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    59 A
    55 V
    14,5 meses
    HEXFET
    DPAK (TO-252)
    4V
    Montaje superficial
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    onsemi
    N, P
    2,2 A, 3 A
    20 V
    106 MΩ, 190 mΩ
    PowerTrench
    SSOT-6
    -
    Montaje superficial
    6
    0.5V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    960 mW
    -
    Aislado
    1.7mm
    3,3 nC a 4,5 V, 3,7 nC a 4,5 V
    3mm
    Si
    2
    +150 °C
    Infineon
    N
    13 A
    100 V
    78 mΩ
    OptiMOS 2
    DPAK (TO-252)
    4V
    Montaje superficial
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    31 W
    -
    Simple
    6.22mm
    8 nC a 10 V
    6.73mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    P
    2,3 A
    20 V
    400 mΩ
    HEXFET
    SOIC
    3V
    Montaje superficial
    8
    1V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    2 W
    -
    Aislado
    4mm
    9,3 nC a 10 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    5,6 A
    500 V
    1,2 Ω
    MDmesh, SuperMESH
    DPAK (TO-252)
    4.5V
    Montaje superficial
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    90 W
    -
    Simple
    6.2mm
    24,6 nC a 10 V
    6.6mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    P
    6,6 A
    250 V
    620 mΩ
    QFET
    TO-3PN
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    150 W
    -
    Simple
    5mm
    29 nC a 10 V
    15.8mm
    Si
    1
    +150 °C
    Wolfspeed
    N
    37 A
    650 V
    -
    -
    TO-247-4
    -
    Montaje en orificio pasante
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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