MOSFET, N-Canal ROHM R6024ENJTL, VDSS 600 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
172-0479
Referência do fabricante:
R6024ENJTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

R6024ENJ

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

320mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.7mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Anchura

9.2mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.

Baja resistencia de encendido.

Velocidad de conmutación rápida.

Tensión de fuente de compuerta (VGSS) garantizada a ±20 V.

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos.

Uso paralelo sencillo.

Chapado de cable sin plomo

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