IGBT | RS
Inicie sessão / Registe-se para aceder aos benefícios da sua conta
Pesquisas recentes

    IGBT

    Los transistores IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son semiconductores utilizados principalmente como dispositivos de conmutación para permitir o detener el flujo de energía. Tienen numerosas ventajas como resultado de ser un cruce entre dos de los transistores más habituales, el MOSFET y los transistores bipolares. RS tiene una amplia gama de IGBT de marcas de confianza, como Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics y muchas más.

    ¿Cuáles son las aplicaciones típicas de los IGBT?

    Los IGBT se utilizan ampliamente en aplicaciones electrónicas, como la electrónica de consumo, la tecnología industrial, el transporte y los motores eléctricos, los dispositivos electrónicos aeroespaciales y las aplicaciones del sector energético:

    • Motores eléctricos
    • Fuentes de alimentación ininterrumpida
    • Instalaciones de panel solar
    • Soldadores
    • Convertidores e inversores de potencia
    • Cargadores de inducción
    • Placas de inducción

    ¿Cómo funcionan los transistores IGBT?

    Los transistores IGBT son dispositivos de tres terminales que aplican una tensión a un semiconductor, cambiando sus propiedades para bloquear el flujo de energía entre el Colector y el Emisor cuando está en estado apagado y permitir el flujo de energía en estado encendido. Están controlados por una estructura de semiconductor de óxido metálico llamada Puerta y se utilizan ampliamente para conmutar la energía eléctrica en aplicaciones como soldadores, coches eléctricos, aparatos de aire acondicionado, trenes y sistemas de alimentación ininterrumpida.

    ¿Cuáles son los diferentes tipos de transistores IGBT?

    Existen varios tipos de transistores IGBT y se clasifican en función de parámetros como la tensión máxima, la corriente del colector, el tipo de encapsulado y la velocidad de conmutación. El tipo de transistor IGBT que elija variará en función del nivel de potencia exacto y de las aplicaciones que se estén considerando.

    ¿Qué diferencia hay entre los MOSFET y los IGBT?

    El transistor IGBT es un componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET. Su estructura es casi idéntica a la de un MOSFET, excepto el adicional sustrato p debajo del sustrato N.Los IGBT son muy eficientes y de rápida conmutación, además de tener características de alta corriente y baja tensión de saturación.

    2396 resultados para IGBT

    onsemi
    60 A
    1.200 V
    ±25V
    339 W
    -
    -
    TO-3PN
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    -
    Simple
    15.8 x 5 x 20.1mm
    STMicroelectronics
    80 A
    600 V
    ±20V
    250 W
    -
    -
    TO-247
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    1MHZ
    Simple
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    STMicroelectronics
    120 A
    650 V
    ±20V
    469 W
    -
    -
    TO-247
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    -
    Simple
    15.75 x 5.15 x 20.15mm
    onsemi
    80 A
    1.200 V
    ±25V
    555 W
    -
    -
    TO-247
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    -
    Simple
    15.87 x 4.82 x 20.82mm
    Mitsubishi Electric
    20
    600 V
    -
    -
    6
    Array
    Módulo PowerDIP
    Montaje en orificio pasante
    N
    -
    -
    Trifásico
    -
    Semikron
    400 A
    1.200 V
    20V
    -
    2
    Doble
    SEMITRANS3
    Montaje roscado
    N
    7
    12kHz
    Medio puente
    106.4 x 61.4 x 30.5mm
    onsemi
    5 A
    600 V
    -
    -
    400
    -
    DIP38
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    40 A
    1350 V
    ±20 V, ±25 V
    310 W
    -
    -
    PG-TO247-3
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    25 A
    650 V
    30V
    32,5 W
    1
    Único
    PG-TO220
    -
    N
    3
    -
    Simple
    -
    Semikron
    300 A
    1.200 V
    ±20V
    -
    -
    Medio puente doble
    SEMITRANS3
    Montaje en panel
    N
    7
    -
    Serie
    106.4 x 61.4 x 30.5mm
    Infineon
    80 A
    1.200 V
    ±20V
    500 W
    -
    Único
    PG-TO247-3-46
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Bourns
    30 A
    600 V
    ±20V
    230 W
    1
    Diodo simple
    TO-247N
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0,322 €
    Unidade (fornecido em bobina)
    Vishay
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    45 A
    1.200 V
    ±20V
    205 W
    -
    Colector común
    EASY1B
    Montaje en PCB
    N
    22
    1MHZ
    Trifásico
    48 x 33.8 x 12mm
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    290 W
    -
    -
    TO-247
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    -
    Simple
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    Infineon
    75 A
    600 V
    ±20V
    390 W
    -
    -
    TO-247AC
    Montaje en orificio pasante
    N
    3
    150kHz
    Simple
    15.87 x 5.31 x 20.7mm
    Fairchild Semiconductor
    46 A
    420 V
    ±14V
    250 W
    -
    -
    D2PAK (TO-263)
    Montaje superficial
    N
    3
    -
    Simple
    10.67 x 9.65 x 4.83mm
    Infineon
    30 A
    1.200 V
    25 V, ±20 V
    200 W
    -
    -
    PG-TO247-3
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    Vishay
    169 A
    1.200 V
    ± 20V
    781 W
    1
    Único
    SOT-227
    Montaje en panel
    N
    4
    -
    -
    -
    Infineon
    30 A
    1350 V
    20V
    330 W
    1
    -
    TO-247
    -
    N
    3
    -
    -
    -
    Resultados por página