IGBT, SUD08P06-155L-GE3

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-252-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 52mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 20,8W mW. Se puede utilizar en interruptores de carga para dispositivos portátiles. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET