Optoacopladores y Fotodetectores

Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1700nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 5 pines

Fotodiodo de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx. 800nm, mont. superficial, encapsulado SMD de 4 pines

Fotodiodo de silicio Wurth Elektronik, IR, λ sensibilidad máx. 940nm, mont. superficial, encapsulado 0805 de 2 pines

Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAs, IR, λ sensibilidad máx. 1700nm, mont. pasante, encapsulado TO-46 de 3

Fotodiodo de silicio Wurth Elektronik, IR, λ sensibilidad máx. 940nm, mont. superficial, encapsulado 0805 de 2 pines

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 436nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 3 pines

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics UV, λ sensibilidad máx. 254nm, mont. pasante, encapsulado Perfil bajo de 3

Fotodiodo InGaAs Hamamatsu, IR, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines

Fotodiodo de silicio Wurth Elektronik, IR, λ sensibilidad máx. 940nm, mont. superficial, encapsulado 0805 de 2 pines

Fotodiodo de silicio Wurth Elektronik, IR, λ sensibilidad máx. 940nm, mont. superficial, encapsulado 0805 de 2 pines

Fotodiodo de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx. 465/540/615nm, mont. superficial, encapsulado

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 2 pines

Sensor de detección de posición (PSD) de silicio Hamamatsu, luz visible, λ sensibilidad máx. 960nm, mont. superficial,

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics D, IR, λ sensibilidad máx. 970nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3 pines

Fotodiodo de silicioHamamatsu S5971, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 3

Interruptor óptico ranurado Isocom H21A de 1 canal, ranura de 3mm, mont. roscado, de 4 pines, config. salida

Optoacoplador Broadcom HCPL de 2 canales, Vf= 1.75V, Viso= 3750 V ac, IN. DC, OUT. Transistor, mont. superficial,

Fototransistor Positivo Sharp PT100 sensible a IR, rango onda λ Máximo de 910 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, SMD

Interruptor óptico ranurado Omron de 1 canal, mont. pasante, config. salida Fototransistor

Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, rango onda λ 875 → 1000 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, Paquete