Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1700nm, mont. pasante, encapsulado TO-5 de 5 pines

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
176-9784
Referência do fabricante:
FCI-InGaAs-Q1000
Fabricante:
OSI Optoelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

OSI Optoelectronics

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

1700nm

Encapsulado

TO-5

Función de amplificador

No

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

5

Material del Diodo

InGaAs

Mínima Longitud de Onda Detectada

900nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1700nm

Tiempo de Bajada Típico

3ns

Longitud

1.49mm

Anchura

1.25mm

Altura

4.16mm

Diámetro

9.14mm

Fotosensibilidad de Pico

0.95A/W

Serie

FCI-InGaAS

Tiempo de Subida Típico

3ns

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
US
La serie FCI-InGaAs-QXXX consta de fotodiodos InGaAs con área activa amplia que se dividen en cuatro áreas activas independientes. Estos fotodiodos se suministran con un área activa de 1 mm y 3 mm de diámetro. La serie InGaAs Quad presenta una elevada uniformidad de repuesta y una diafonía baja entre los elementos, ideal para aplicaciones de centrado o anulación precisas, así como de determinación de perfiles de haz. Ofrecen una excelente capacidad de respuesta entre 1.100 nm y 1.620 nm, y son estables en el tiempo y térmicamente; además, ofrecen tiempos de respuesta rápidos, algo necesario para el funcionamiento de impulsos o a alta velocidad. Los fotodiodos se ofrecen en encapsulados aislados TO-5 o TO-8 con una mirilla plana con tratamiento antirreflectante de doble cara de banda amplia.

Aplicaciones del producto
Sensores de posición
Alineación de haz
Determinación de perfiles de haz
Características del producto
Responsividad alta
Ruido bajo
Rango espectral: 900 nm a 1.700 nm
Diafonía baja
Amplio campo de visión

Links relacionados