Winbond SDRAM LPDDR móvil, 512 MB, Superficie, VFBGA 16 bit, 60 pines
- Código RS:
- 188-2676P
- Referência do fabricante:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 10 unidades (fornecido em tabuleiro)*
32,14 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 20 | 3,214 € |
| 25 - 45 | 3,13 € |
| 50 - 95 | 3,05 € |
| 100 + | 2,974 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-2676P
- Referência do fabricante:
- W949D6DBHX5I
- Fabricante:
- Winbond
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de producto | SDRAM LPDDR móvil | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de líneas de bus | 15bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5ns | |
| Número de palabras | 64M | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | VFBGA | |
| Número de pines | 60 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 0.65mm | |
| Longitud | 9.1mm | |
| Serie | W949D6DB | |
| Certificaciones y estándares | LVCMOS Compatible | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.95V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de producto SDRAM LPDDR móvil | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de líneas de bus 15bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5ns | ||
Número de palabras 64M | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado VFBGA | ||
Número de pines 60 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 0.65mm | ||
Longitud 9.1mm | ||
Serie W949D6DB | ||
Certificaciones y estándares LVCMOS Compatible | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 1.95V | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits.
Burst Type: Sequential or Interleave
Standard Self Refresh Mode
PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver