Winbond SDRAM, 256 MB, Superficie, TSOP 16 bit, 66 pines
- Código RS:
- 188-2575
- Referência do fabricante:
- W9425G6KH-5I
- Fabricante:
- Winbond
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- Código RS:
- 188-2575
- Referência do fabricante:
- W9425G6KH-5I
- Fabricante:
- Winbond
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tamaño de la memoria | 256MB | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Ancho del bus de datos | 16bit | |
| Número de líneas de bus | 15bit | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 55ns | |
| Número de palabras | 32M | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Número de pines | 66 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 22.35mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | W9425G6KH | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.7V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tamaño de la memoria 256MB | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Ancho del bus de datos 16bit | ||
Número de líneas de bus 15bit | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 55ns | ||
Número de palabras 32M | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado TSOP | ||
Número de pines 66 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 22.35mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie W9425G6KH | ||
Tensión de alimentación máxima 2.7V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
The W9425G6KH is a 256M DDR SDRAM and speed involving -4/-5/-5I/-5A.
Up to 250 MHz Clock Frequency
Double Data Rate architecture, two data transfers per clock cycle
Differential clock inputs (CLK and /CLK)
DQS is edge-aligned with data for Read, center-aligned with data for Write
CAS Latency: 2, 2.5, and 3
Burst Length: 2, 4 and 8
Auto Refresh and Self Refresh
Precharged Power Down and Active Power Down
Write Data Mask
Write Latency = 1
7.8μS refresh interval (8K/64 mS refresh)
Maximum burst refresh cycle: 8
Interface: SSTL_2
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