Alliance Memory SDRAM AS4C2M32S-6BIN, 8 MB, Montaje superficial, TFBGA 32 bit, 90 pines
- Código RS:
- 842-640
- Referência do fabricante:
- AS4C2M32S-6BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
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- Código RS:
- 842-640
- Referência do fabricante:
- AS4C2M32S-6BIN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Ancho del bus de datos | 32bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 166MHZ | |
| Número de bits por palabra | 32 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 5.4ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TFBGA | |
| Número de pines | 90 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Serie | AS4C2M32S | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Ancho del bus de datos 32bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 166MHZ | ||
Número de bits por palabra 32 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 5.4ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TFBGA | ||
Número de pines 90 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Serie AS4C2M32S | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona CMOS de alta velocidad de Alliance Memory proporciona soluciones de memoria avanzadas con una capacidad de 64 Mb, diseñadas para un rendimiento eficiente en aplicaciones informáticas que requieren un manejo rápido de datos.
El tiempo de acceso rápido de 5,4 ns mejora el rendimiento general del sistema
Funciona a una velocidad de reloj de 166 MHz para mejorar el rendimiento de datos
El funcionamiento completamente síncrono garantiza la integridad de los datos durante las operaciones de alta velocidad
Admite longitudes de burst de lectura y escritura programables para una gestión de datos flexible