Alliance Memory SDRAM AS4C64M8D1-5BCN, 64 MB, Montaje superficial, TFBGA 8 bit, 60 pines
- Código RS:
- 842-635
- Referência do fabricante:
- AS4C64M8D1-5BCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
6,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 24 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,08 € |
| 10 - 49 | 5,96 € |
| 50 - 99 | 5,78 € |
| 100 + | 5,41 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 842-635
- Referência do fabricante:
- AS4C64M8D1-5BCN
- Fabricante:
- Alliance Memory
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | |
| Tipo de producto | SDRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 200MHZ | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 0.7ns | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Encapsulado | TFBGA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Número de pines | 60 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Serie | AS4C64M8D1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 2.7V | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Alliance Memory | ||
Tipo de producto SDRAM | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 200MHZ | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 0.7ns | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Encapsulado TFBGA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Número de pines 60 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Serie AS4C64M8D1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tensión de alimentación máxima 2.7V | ||
- COO (País de Origem):
- TW
La DRAM síncrona de alta velocidad de Alliance Memory ofrece un rendimiento excepcional con una capacidad de 512 Mbits, optimizada para aplicaciones que requieren un procesamiento de datos rápido y un funcionamiento eficiente de la memoria.
Funciona a una velocidad de reloj rápida de 200 MHz para aumentar el rendimiento
Incluye funcionamiento completamente síncrono con arquitectura de tuberías interna
Dispone de cuatro bancos internos con configuración de 16 M x 8 bits
Admite opciones de latencia CAS programables de 2, 2,5 y 3