NVRAM STMicroelectronics, 28 pines, PCDIP, 256 kB, 70 ns, Orificio pasante, 5.5V, 4.5 V
- Código RS:
- 168-6072
- Referência do fabricante:
- M48Z35Y-70PC1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 168-6072
- Referência do fabricante:
- M48Z35Y-70PC1
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | NVRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Encapsulado | PCDIP | |
| Número de pines | 28 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 39.88mm | |
| Altura | 8.89mm | |
| Anchura | 18.34mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Corriente de suministro | 20mA | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de palabras | 32k | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto NVRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Encapsulado PCDIP | ||
Número de pines 28 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 39.88mm | ||
Altura 8.89mm | ||
Anchura 18.34mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Corriente de suministro 20mA | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de palabras 32k | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
RAM estática ZEROPOWER®, STMicroelectronics
Los productos de RAM no volátil ZEROPOWER® integran SRAM de baja potencia con un circuito de control de fallo de alimentación y una batería de litio de larga vida útil.
SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)
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