MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (2500 unidades, em rolo de 2500)*

2 175,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 16 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 - 25000,87 €2 175,00 €
5000 +0,838 €2 095,00 €

*preço indicativo

Código RS:
920-8868
Referência do fabricante:
STD3NK90ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.