MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 920-8821
- Referência do fabricante:
- STB38N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
3 570,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 1000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,57 € | 3 570,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 920-8821
- Referência do fabricante:
- STB38N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB38N65M5, VDSS 710 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 42 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB57N65M5, VDSS 710 V, ID 42 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB45N65M5, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 15 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines