MOSFET, N-Canal IXYS IXTP50N20P, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 193-420
- Referência do fabricante:
- IXTP50N20P
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
6,71 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Stock limitado
- Mais 1 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
- Mais 1 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,71 € |
| 10 - 24 | 5,87 € |
| 25 + | 5,06 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 193-420
- Referência do fabricante:
- IXTP50N20P
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.66mm | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 26 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 22 A, Mejora, TO-220 de 3 pines