MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1200 V, ID 31 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-9749
- Referência do fabricante:
- C2M0080120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 919-9749
- Referência do fabricante:
- C2M0080120D
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 208mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 208mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.13mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
Transistores MOSFET, Wolfspeed
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