MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4889
- Referência do fabricante:
- IRL530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4889
- Referência do fabricante:
- IRL530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | LogicFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie LogicFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
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