MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 57 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-4775
Referência do fabricante:: IRF3710PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 57 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidade	Por Tubo*
50 - 50	1,344 €	67,20 €
100 - 200	1,075 €	53,75 €
250 - 450	1,008 €	50,40 €
500 - 950	0,941 €	47,05 €
1000 +	0,874 €	43,70 €

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Código RS:: 919-4775
Referência do fabricante:: IRF3710PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	57A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	23mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	200W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	130nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	8.77mm
	Longitud	10.54mm
	Anchura	4.69 mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 57A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 200W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 8.77mm
	Longitud 10.54mm
	Anchura 4.69 mm
	Estándar de automoción No

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MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 57 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF3710PBF

Este MOSFET es un semiconductor de potencia duradero que resulta esencial en diversas aplicaciones electrónicas. Está diseñado para ofrecer una alta eficiencia, destacando en entornos que requieren una baja resistencia y un rendimiento térmico superior, lo que lo hace importante para la electrónica contemporánea en campos como la automatización y los sistemas mecánicos.

Características y ventajas

• Utiliza tecnología HEXFET de baja resistencia a la conexión

• Maneja una corriente de drenaje continua máxima de 57 A

• Funciona eficazmente con una tensión de drenaje-fuente de 100 V

• Permite la conmutación rápida para mejorar el rendimiento general

• Diseñado para funcionar a una temperatura de unión máxima de +175°C

• Optimizado para la gestión térmica con mínima generación de calor

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de alimentación de automóviles para una gestión eficiente de la energía

• Adecuado para circuitos de alimentación que mejoran la eficiencia energética

• Aplicable en sistemas de control de motores para escenarios de alta corriente

• Eficaz en la automatización industrial para un rendimiento constante bajo carga

¿Qué importancia tiene la baja resistencia a la conexión de este MOSFET?

La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia, algo crucial para las aplicaciones de alto rendimiento.

¿Se puede utilizar en entornos con altas temperaturas?

Sí, funciona eficazmente hasta una temperatura de unión máxima de +175 °C, lo que resulta idóneo para aplicaciones exigentes.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

La tensión umbral de puerta de 2 V a 4 V garantiza una conmutación eficaz, lo que permite un control preciso en diversos diseños de circuitos.

¿Qué tipo de montaje es adecuado para este dispositivo?

Este MOSFET está diseñado para montaje pasante, lo que facilita una instalación segura en numerosas aplicaciones.

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.