MOSFET, N-Canal Infineon IRF3710PBF, VDSS 100 V, ID 57 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 540-9812
- Número do artigo Distrelec:
- 302-84-009
- Referência do fabricante:
- IRF3710PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 540-9812
- Número do artigo Distrelec:
- 302-84-009
- Referência do fabricante:
- IRF3710PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 57 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF3710PBF
Este MOSFET es un semiconductor de potencia duradero que resulta esencial en diversas aplicaciones electrónicas. Está diseñado para ofrecer una alta eficiencia, destacando en entornos que requieren una baja resistencia y un rendimiento térmico superior, lo que lo hace importante para la electrónica contemporánea en campos como la automatización y los sistemas mecánicos.
Características y ventajas
• Utiliza tecnología HEXFET de baja resistencia a la conexión
• Maneja una corriente de drenaje continua máxima de 57 A
• Funciona eficazmente con una tensión de drenaje-fuente de 100 V
• Permite la conmutación rápida para mejorar el rendimiento general
• Diseñado para funcionar a una temperatura de unión máxima de +175°C
• Optimizado para la gestión térmica con mínima generación de calor
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de alimentación de automóviles para una gestión eficiente de la energía
• Adecuado para circuitos de alimentación que mejoran la eficiencia energética
• Aplicable en sistemas de control de motores para escenarios de alta corriente
• Eficaz en la automatización industrial para un rendimiento constante bajo carga
¿Qué importancia tiene la baja resistencia a la conexión de este MOSFET?
La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia, algo crucial para las aplicaciones de alto rendimiento.
¿Se puede utilizar en entornos con altas temperaturas?
Sí, funciona eficazmente hasta una temperatura de unión máxima de +175 °C, lo que resulta idóneo para aplicaciones exigentes.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?
La tensión umbral de puerta de 2 V a 4 V garantiza una conmutación eficaz, lo que permite un control preciso en diversos diseños de circuitos.
¿Qué tipo de montaje es adecuado para este dispositivo?
Este MOSFET está diseñado para montaje pasante, lo que facilita una instalación segura en numerosas aplicaciones.
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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