MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 127.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*

52,25 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
50 - 501,045 €52,25 €
100 - 2000,836 €41,80 €
250 - 4500,732 €36,60 €
500 - 12000,606 €30,30 €
1250 +0,564 €28,20 €

*preço indicativo

Código RS:
200-6849
Referência do fabricante:
SiSS63DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

127.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

236nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.8W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Altura

3.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay SiSS63DN-T1-GE3 es un MOSFET de canal P 20V (D-S).

MOSFET de alimentación de canal p TrenchFET® Gen III

RDS(on) de liderazgo en encapsulado térmicamente mejorado y compacto

100 % Rg y prueba UIS

Links relacionados